对比图
型号 HAT2169H-EL-E PSMN2R6-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 40V 100ASingle N-Channel 40V 4.2mOhm 38NC 106W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 4 4
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 131 W 106 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 50A 100 A 100 A
上升时间 64 ns 22 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 6650pF @10V(Vds) 3776pF @12V(Vds) 2410pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 131 W 106 W
下降时间 9.5 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 131W (Tc) 106W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 0.002 Ω 0.0032 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17