对比图
型号 STP16NF06 STP60NF06L NTP18N06G
描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics15A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 16.0 A 60.0 A 15.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 80 mΩ 0.014 Ω 90 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 110 W 48.4 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 60.0 A 15.0 A
上升时间 18 ns 220 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 315pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 110 W 48.4 W
下降时间 6 ns 30 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 110W (Tc) 48.4W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 4 V 1 V -
额定功率 45 W - -
输入电容 315 pF - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.28 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99