IRF6215STRR和IRF6215STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6215STRR IRF6215STRRPBF

描述 D2PAK P-CH 150V 13AD2PAK P-CH 150V 13A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 110W (Tc) 110 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 13A 13A

输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)

通道数 - 1

上升时间 - 36 ns

额定功率(Max) - 3.8 W

下降时间 - 37 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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