CSD13385F5和CSD13385F5T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD13385F5 CSD13385F5T CSD13381F4

描述 12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、19mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 800 mV12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

耗散功率 1.4 W 1.4 W 500 mW

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

上升时间 10 ns 10 ns 1.5 ns

输入电容(Ciss) 674pF @6V(Vds) 674pF @6V(Vds) 200pF @6V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 3.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.015 Ω 180 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

阈值电压 - 800 mV 850 mV

漏源击穿电压 - - 12 V

连续漏极电流(Ids) - - 2.1A

额定功率(Max) - - 500 mW

针脚数 - 3 -

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

长度 - - 1 mm

宽度 - - 0.64 mm

高度 - - 0.35 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - - NLR

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