JANTXV2N6032和TIP31C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV2N6032 TIP31C JAN2N6032

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-220-3 TO-3

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 90 V 100 V 90 V

集电极最大允许电流 50A 3A 50A

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 3.00 A -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 40 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @3A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) - 50 -

额定功率(Max) - 2 W -

直流电流增益(hFE) - 10 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 TO-3 TO-220-3 TO-3

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tube -

最小包装 - 50 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 8541290095 -

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