BC846BWE6327和BC846BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BWE6327 BC846BWT1G BC846B

描述 SOT-323 NPN 65V 0.1ANPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-23

频率 - 100 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 65.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 150 mW 0.25 W

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 150 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW 250 mW

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.24 mm -

高度 - 0.9 mm -

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-23

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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