BSC360N15NS3G和BSC360N15NS3GATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC360N15NS3G BSC360N15NS3GATMA1 BSC027N04LSG

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  BSC360N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TDSON PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

输入电容(Ciss) 893pF @75V(Vds) 893pF @75V(Vds) 5100pF @20V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74 W 74W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)

额定功率 - 74 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.031 Ω -

耗散功率 - 74 W 2.5 W

阈值电压 - 3 V 1.2 V

输入电容 - 893 pF -

漏源极电压(Vds) - 150 V -

连续漏极电流(Ids) - 33A -

上升时间 - 6 ns 5.6 ns

下降时间 - 4 ns 6.2 ns

通道数 - - 1

长度 6.1 mm 5.35 mm -

宽度 5.35 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 1.1 mm 1.27 mm -

封装 TDSON PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Reel, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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