KBL408和KBL408-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KBL408 KBL408-G KBL408G

描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBL, 4 PINDiode Rectifier Bridge Single 800V 4A 4Pin Case KBL BulkGENESIC SEMICONDUCTOR KBL408G Bridge Rectifier Diode, Single, 800V, 4A, SIP, 1.1V, 4Pins

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Comchip Technology (上华科技) GeneSiC Semiconductor

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 - SIP-4 SIP-4

正向电压 - 1.1V @4A 1.1V @4A

正向电流 - 4 A 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 125 A 120 A

正向电压(Max) - - 1.1 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -50 ℃

高度 - 16.3 mm 16.3 mm

封装 - SIP-4 SIP-4

长度 - 19.5 mm -

宽度 - 6.5 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Cut Tape (CT)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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