4914和BUX98

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 4914 BUX98 2N5882

描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2高功率NPN硅晶体管, IMAG HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS, imagt-Npn Si- Po Amp ; Rohs Compliant: Yes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件

基础参数对比

封装 - TO-204 -

耗散功率 - 250000 mW -

耗散功率(Max) - 250000 mW -

封装 - TO-204 -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Unknown Active

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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