对比图
型号 4914 BUX98 2N5882
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2高功率NPN硅晶体管, IMAG HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS, imagt-Npn Si- Po Amp ; Rohs Compliant: Yes
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics
分类 双极性晶体管分立器件
封装 - TO-204 -
耗散功率 - 250000 mW -
耗散功率(Max) - 250000 mW -
封装 - TO-204 -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -
产品生命周期 Active Unknown Active
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant