对比图
型号 IXFN50N80Q2 IXKN45N80C APT8014JLL
描述 IXFN50N80Q2 一个物料配4个螺丝Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4Pin SOT-227BSOT-227 N-CH 800V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Chassis Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定功率 1135 W - -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 1135 W - 595 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 50A - 42.0 A
上升时间 25 ns 15 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 13500pF @25V(Vds) - 7238pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 890 W - 595 W
下降时间 13 ns 10 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1135W (Tc) - 595W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 42.0 A
输入电容 - - 7.24 nF
栅电荷 - - 285 nC
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 63 mΩ -
阈值电压 - 3.9 V -
漏源击穿电压 - 800 V -
长度 38.23 mm 38.23 mm -
宽度 25.42 mm 25.42 mm -
高度 9.6 mm 12.22 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free