FDV302P和FDV302P_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDV302P FDV302P_NL FDV302P_D87Z

描述 FD V302P 系列 P沟道 25 V 13 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3Digital FET,P-ChannelMOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 7.9 Ω - -

耗散功率 350 mW - 350mW (Ta)

阈值电压 1 V - -

输入电容 11 pF - -

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

上升时间 8 ns - -

输入电容(Ciss) 11pF @10V(Vds) - 11pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW - -

下降时间 5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 350 mW - 350mW (Ta)

极性 - P-CH -

连续漏极电流(Ids) - 0.12A -

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.93 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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