LM358DR2和LM358NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM358DR2 LM358NG BA10358F-E2

描述 双差分输入运算放大器 DUAL DIFFERENTIAL INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSON SEMICONDUCTOR  LM358NG  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, DIP, 8 引脚ROHM  BA10358F-E2  运算放大器, 双路, 1.2 MHz, 2个放大器, 0.2 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOP-8

供电电流 1.5 mA 1.5 mA 700 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 200 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 500 kHz

输入补偿电压 2 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 45 nA 45 nA 45 nA

电源电压(DC) - 5.00 V 36.0 V

工作电压 - 3V ~ 32V -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电流 - 60 mA 20 mA

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 70 dB 65 dB

带宽 - 1 MHz 1.2 MHz

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 1 MHz 500 kHz

共模抑制比(Min) - 65 dB 65 dB

电源电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

输入电压 - 0V ~ 28.3V -

耗散功率 - - 620 mW

电源电压(Max) - - 32V ~ 36V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOP-8

长度 - 10.16 mm 5 mm

宽度 - 6.6 mm 4.4 mm

高度 - 3.44 mm 1.5 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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