PIC18F1220-E/P和PIC18F1220-E/SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F1220-E/P PIC18F1220-E/SO PIC18F1220-I/P

描述 MICROCHIP  PIC18F1220-E/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F1xxx, 40 MHz, 4 KB, 256 Byte, 18 引脚, DIPPIC18F1220/1320 8 位微控制器### PIC18 微控制器PIC18F1220/1320 8 位微控制器### PIC18 微控制器

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 8位微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 18 18 18

封装 PDIP-18 SOIC-18 DIP-18

频率 - - 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 4.2V ~ 5V

针脚数 18 - 18

时钟频率 40.0 MHz 40.0MHz (max) 40 MHz

RAM大小 256 b 256 B 256 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 4 KB 4 KB 4096 B

I/O引脚数 16 16 16

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 - - 2000 B

内核子架构 - PIC18 PIC18

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 16 Input - 16 Input

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 4.2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

耗散功率 1000 mW 1000 mW -

长度 22.86 mm 11.55 mm 23.37 mm

宽度 6.35 mm 7.49 mm 0.28 in

高度 3.3 mm 2.35 mm 4.95 mm

封装 PDIP-18 SOIC-18 DIP-18

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.a.2 3A991.a.2 EAR99

HTS代码 - 8542310001 8542310001

香港进出口证 - - NLR

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