对比图
型号 94-2304 IRL2203NPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 116A TO-220ABINFINEON IRL2203NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
耗散功率 180W (Tc) 130 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc)
额定功率 - 130 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.007 Ω
极性 - N-Channel
阈值电压 - 1 V
输入电容 - 3290 pF
漏源击穿电压 - 30 V
连续漏极电流(Ids) - 116A
上升时间 - 160 ns
额定功率(Max) - 180 W
下降时间 - 66 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17