1N1202A和1N5402G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N1202A 1N5402G RGP30J

描述 1N1…A 系列 200 V 12 A 螺柱安装 中等功率 硅 整流器 二极管 - DO-4ON SEMICONDUCTOR  1N5402G.  快速恢复功率整流器r-600V 3A Fast Sw

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 肖特基二极管肖特基二极管分立器件

基础参数对比

封装 DO-4 DO-201AD -

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 12.0 A 3.00 A -

输出电流 ≤12.0 A ≤3.00 A -

正向电压 1.35 V 1 V -

极性 Standard Standard -

热阻 2℃/W (RθJC) 53℃/W (RθJA) -

正向电流 12 A 3 A -

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

工作结温(Max) 200 ℃ 150 ℃ -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 2 -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 200 A -

正向电压(Max) - 1 V -

正向电流(Max) - 3 A -

高度 31.8 mm 9.5 mm -

封装 DO-4 DO-201AD -

长度 - 9.5 mm -

宽度 - 5.3 mm -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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