对比图
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管
封装 TO-92-3 TO-92 TO-92-3
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
耗散功率 625 mW - 625 mW
最大电流放大倍数(hFE) 40 @1mA, 10V - 40 @1mA, 10V
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
极性 PNP PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V -
集电极最大允许电流 0.3A 0.5A -
额定电压(DC) - -400 V -
额定电流 - -500 mA -
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @200mA, 10V -
额定功率(Max) - 1 W -
耗散功率(Max) - 1500 mW -
长度 4.77 mm - 4.77 mm
宽度 2.41 mm - 2.41 mm
高度 4.01 mm - 4.01 mm
封装 TO-92-3 TO-92 TO-92-3
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
材质 - Silicon -
ECCN代码 - EAR99 -