MMBZ20VALQ-7-F和SZMMBZ20VAWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ20VALQ-7-F SZMMBZ20VAWT1G MMBZ20VAL

描述 单向 17VMMBZ27VAW: 齐纳保护,40 瓦峰值功率Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 17V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB, PLASTIC, 318, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SC-70-3 -

耗散功率 - 0.2 W -

脉冲峰值功率 - 40 W -

最小反向击穿电压 - 19 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

高度 - 0.85 mm -

封装 SOT-23 SC-70-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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