DS1225AD-70+和DS1225AD-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AD-70+ DS1225AD-70IND+ DS1225AD-85

描述 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 64Kbit 85NS 28DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

负载电容 - - 5.00 pF

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 85.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 85 ns

内存容量 64000 B 8000 B 8000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 28 28 -

电源电压(Max) 5.25 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V -

长度 - - 39.12 mm

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - - 9.4 mm

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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