AUIRS2181S和IRS2181SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRS2181S IRS2181SPBF IRS2184STRPBF

描述 INFINEON  AUIRS2181S  芯片, 驱动器, 高/低压侧, 8SOICINFINEON  IRS2181SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 15 ns 40ns, 20ns 40ns, 20ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 1.9 A 1.9 A 1.9 A

针脚数 8 8 8

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

静态电流 - 240 µA 1.6 mA

上升时间 60 ns 40 ns 40 ns

下降时间 35 ns 20 ns 20 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

电源电压(DC) - 10.0V (min) -

额定功率 - 0.625 W -

输出电压 - 600 V -

通道数 - 2 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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