对比图
型号 ATF-55143-BLKG ATF-55143-TR1 ATF-55143-TR1G
描述 GaAs FET 射频晶体管，Avago TechnologiesGaAs FET 射频晶体管非常适合用于一级或二级基站低噪声放大器 (LNA)。 规格表现出极佳的低噪声指数和增强型线性组合。 Avago Technologies 的这些 GaAs MESFET 射频晶体管设计用于在无线和高频应用中使用。### MESFET 晶体管，Avago Technologies与其 JFET 和 MOSFET 同类产品相比，金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 可提供更好地高频性能。 它们可在低噪声前端射频放大器和微波接收器中频繁使用。IC TRANS E-PHEMT 2GHz SOT-343BROADCOM LIMITED ATF-55143-TR1G 晶体管, 射频FET, 5 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
数据手册 ---
制造商 Broadcom (博通) AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
频率 2 GHz - 2 GHz
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
输出功率 14.4 dBm - 14.4 dBm
增益 17.7 dB 17.7 dB 17.7 dB
测试电流 10 mA - 10 mA
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
额定电压 5 V - 5 V
额定电压(DC) - 5.00 V -
耗散功率 - 270 mW 270 mW
针脚数 - - 4
漏源极电压(Vds) - - 5 V
长度 2.25 mm - -
宽度 1.35 mm - -
高度 1 mm - -
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17