K4H561638F-UCB3和MT46V16M16TG-6T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4H561638F-UCB3 MT46V16M16TG-6T IS43R16160D-6TL

描述 256Mbit DDR SDRAM 166MHz 66-TSOP - K4H561638F-UCB3DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP TrayDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-II

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 66

封装 TSOP TSOP TSOP-66

供电电流 - - 280 mA

时钟频率 166 MHz - 166 MHz

位数 - - 16

存取时间 - - 6 ns

存取时间(Max) - - 0.7 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 2.5 V 2.5 V 2.3V ~ 2.7V

电源电压(Max) - - 2.7 V

电源电压(Min) - - 2.3 V

额定电压(DC) - 2.50 V -

工作电压 - 2.50 V -

封装 TSOP TSOP TSOP-66

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Not Recommended

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

ECCN代码 - - EAR99

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