对比图
型号 SI7860ADP-T1-GE3 SI7860DP-T1-E3 SIR462DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8MOSFET 30V 18A 5W 8mohm @ 10VMOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 -
封装 SO-8 SO-8 SO-8
漏源极电阻 - 0.008 Ω -
极性 - N-Channel -
耗散功率 1.8W (Ta) 1.8 W 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 18.0 A -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
输入电容(Ciss) - - 1155pF @15V(Vds)
长度 - 5.99 mm -
高度 - 1.07 mm -
封装 SO-8 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -