PHM18NQ15T和PHM18NQ15T,518

对比图

型号 PHM18NQ15T PHM18NQ15T,518 PHD12NQ15T

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETHVSON N-CH 150V 19AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

封装 HVSON HVSON-8 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 19A 19A -

耗散功率 - 62.5W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 1150pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 62.5W (Tc) -

封装 HVSON HVSON-8 -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -