IXSN80N60BD1和IXXN100N60B3H1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXSN80N60BD1 IXXN100N60B3H1 HGT1N30N60A4D

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 420000mW 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 440A 500000mW 4Pin SOT-227B600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Chassis Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 96.0 A

耗散功率 420000 mW 500000 mW 255000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 420 W 500 W 255 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 420000 mW 500000 mW 255000 mW

输入电容(Cies) 6.6nF @25V 4.86nF @25V -

高度 - - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台