IRF8736PBF和SI4386DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8736PBF SI4386DY-T1-GE3 IRF8736TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8736PBF  场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC 新VISHAY  SI4386DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 16A, SOIC, 整卷INFINEON  IRF8736TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0039 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 4.8 mΩ 9.5 mΩ 0.0039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 1.47 W 2.5 W

产品系列 IRF8736 - -

阈值电压 1.8 V 2 V 1.8 V

输入电容 2315pF @15V - 2315 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 16.0 A 18A

输入电容(Ciss) 2315pF @15V(Vds) - 2315pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 30 V

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 7.5 ns

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

宽度 - - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

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