DS1225AB-70IND和DS1225AD-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-70IND DS1225AD-70IND+ DS1225AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 70NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 28 -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

针脚数 - 28 28

时钟频率 - 70.0 GHz -

存取时间 - 70 ns 70 ns

内存容量 - 8000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

宽度 - 18.29 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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