RCX200N20和RCX300N20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RCX200N20 RCX300N20

描述 TO-220FM N 200V 20A 0.1ΩTO-220FM N 200V 30A 0.06Ω

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1

漏源极电阻 0.1 Ω 60 mΩ

极性 N-Channel N

耗散功率 2.23 W 2.23 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

连续漏极电流(Ids) 20A 30A

上升时间 100 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)

下降时间 45 ns 75 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 15.4 mm -

宽度 10.3 mm -

高度 4.8 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 1000 1000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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