对比图
型号 IPA60R165CP STF21NM60ND STF23NM60N
描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power TransistorSTMICROELECTRONICS STF21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 34.0 W 30 W 35 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 17A 9.50 A
上升时间 5 ns 16 ns 15 ns
下降时间 5 ns 48 ns 36 ns
耗散功率(Max) 34W (Tc) 30W (Tc) 35W (Tc)
输入电容(Ciss) - 1800pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.17 Ω -
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 30 W -
长度 10.65 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.15 mm 16.4 mm 9.3 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 NLR - -