JAN2N3421和JANTXV2N5154

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3421 JANTXV2N5154 2N3421

描述 Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-5NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-5 TO-39 -

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 70 @2.5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

封装 TO-5 TO-39 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -

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