BZD27C12P-GS08和BZD27C12P-GS18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C12P-GS08 BZD27C12P-GS18 BZD27C12P-HE3-08

描述 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current SpecificationZener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Intertechnology

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

击穿电压 14.1 V - -

耗散功率 800 mW 800 mW -

测试电流 50 mA 50 mA -

稳压值 12.05 V 12.05 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW - -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.9 mm 1.9 mm -

高度 0.98 mm 0.98 mm -

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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