RF1K49156和RF1K4915696

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RF1K49156 RF1K4915696 IRF7353D2TR

描述 6.3A , 30V , 0.030欧姆,逻辑电平,单N沟道LittleFET功率MOSFET 6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Logic Level, Single N-Channel LittleFET Power MOSFETN沟道 30V 6.3ASOIC N-CH 30V 6.5A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOP SO-8 SOIC

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 2 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.3A 6.3A 6.5A

上升时间 - 100 ns -

下降时间 - 95 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOP SO-8 SOIC

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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