对比图
型号 IXGH39N60BD1 IXGH48N60B3D1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 - 300000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 25 ns 100 ns
额定功率(Max) 200 W 300 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200 W 300000 mW
额定功率 200 W -
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99