IXTA26P20P和IXTQ26P20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA26P20P IXTQ26P20P IRF6218SPBF

描述 D2PAK P-CH 200V 26AP沟道 200V 26ATrans MOSFET P-CH 150V 27A 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-3-3 D2PAK

耗散功率 300 W 300W (Tc) 250 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -150 V

上升时间 33 ns 33 ns -

输入电容(Ciss) 2740pF @25V(Vds) 2740pF @25V(Vds) -

下降时间 21 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) -

通道数 1 - -

极性 P-CH - P-Channel

连续漏极电流(Ids) 26A - -150 A

额定功率(Max) 300 W - -

产品系列 - - IRF6218S

封装 TO-263-3 TO-3-3 D2PAK

宽度 9.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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