PHP29N08T和PHP29N08T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP29N08T PHP29N08T,127 934057126127

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTO-220AB N-CH 75V 27APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 88 W -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V -

连续漏极电流(Ids) 27.0 A 27A -

输入电容(Ciss) 810pF @25V(Vds) 810pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 88 W 88 W -

耗散功率(Max) - 88W (Tc) -

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 27.0 A - -

输入电容 810 pF - -

栅电荷 19.0 nC - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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