70V3319S133BCGI和IDT70V3319S133BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3319S133BCGI IDT70V3319S133BCI 70V3319S133BCI

描述 IC SRAM 4.5Mbit 133MHz 256CABGAHIGH -SPEED 3.3V 256 / 128K ×18同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEIC SRAM 4.5Mbit 133MHz 256CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 LBGA-256 BGA-256 LBGA-256

引脚数 256 - 256

封装 LBGA-256 BGA-256 LBGA-256

长度 17.0 mm - 17.0 mm

宽度 17.0 mm - 17.0 mm

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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