MSAD200-12和MSAD200-18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSAD200-12 MSAD200-18 MSAD200-08

描述 Diode 1.2kV 200ADiode 1.8kV 200ADiode 800V 200A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 D2 D2 D2

正向电压 1.3V @300A 1.3V @300A 1.3V @300A

正向电压(Max) 1.3V @300A 1.3V @300A 1.3V @300A

正向电流(Max) 200 A 200 A 200 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

封装 D2 D2 D2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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