对比图
型号 6DI30A-120 KE721203 MG20Q6EK1
描述 POWER TRANSISTOR MODULENPN 950V 30AMG20Q6EK1 power transistor module
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Powerex Toshiba (东芝)
分类 IGBT晶体管
极性 - NPN -
击穿电压(集电极-发射极) - 950 V -
集电极最大允许电流 - 30A -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant - -
含铅标准 Lead Free - -