对比图
型号 PUMB30 PUMB30,115
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSSOP PNP 50V 100mA
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TSSOP-6 TSSOP-6
引脚数 - 6
极性 PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 30 @20mA, 5V 30 @20mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
耗散功率 - 0.3 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
封装 TSSOP-6 TSSOP-6
高度 - 1 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 150℃