对比图
型号 IS43R16160D-6TLI K4H561638F-UCB3 IS43R16160D-6TL
描述 INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43R16160D-6TLI 芯片, 存储器, SDRAM, DDR, 256MB, 2.5V, 66TSOPII256Mbit DDR SDRAM 166MHz 66-TSOP - K4H561638F-UCB3DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-II
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 66 - 66
封装 TSOP-66 TSOP TSOP-66
供电电流 280 mA - 280 mA
时钟频率 - 166 MHz 166 MHz
位数 16 - 16
存取时间 6 ns - 6 ns
存取时间(Max) 0.7 ns - 0.7 ns
工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.5 V 2.3V ~ 2.7V
电源电压(Max) - - 2.7 V
电源电压(Min) - - 2.3 V
针脚数 66 - -
封装 TSOP-66 TSOP TSOP-66
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Not Recommended
包装方式 Each - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free PB free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99