IRF540PBF和IRF540,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF540PBF IRF540,127 IRF540

描述 MOSFET N-CH 100V 28A TO-220ABTO-220AB N-CH 100V 23ATrans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

耗散功率 150 W 100 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1187pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)

漏源极电阻 77 mΩ 77 mΩ -

阈值电压 4 V - -

额定功率(Max) 150 W - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 - 1 -

极性 - N-CH -

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 23A -

上升时间 - 39 ns -

下降时间 - 24 ns -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 9.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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