FM24CL64B-GTR和FM25CL64B-GTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM24CL64B-GTR FM25CL64B-GTR FM24CL64B-G

描述 3V,64Kb串行F-RAM存储器64Kb,3.65V,SPI串行F-RAM存储器F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.65V -

供电电流 0.3 mA 3 mA 0.3 mA

针脚数 8 8 -

时钟频率 1 MHz 20 MHz 1 MHz

存取时间 550 ns - 550 ns

存取时间(Max) 550 ns 20 ns 550 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.65V 2.7V ~ 3.65V 2.7V ~ 3.65V

电源电压(Max) 3.6 V 3.65 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

耗散功率 - 1 W 1 W

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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