FDY302NZ和NTK3134NT1H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDY302NZ NTK3134NT1H FDY300NZ

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。20V,0.89A,350mΩ,小信号N沟道MOSFETON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-523-3 SOT-723-3 SOT-523

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 0.625 W - 0.625 W

阈值电压 1 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 0.6A 0.89A -

上升时间 8 ns 4.8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 79pF @16V(Vds) 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 446 mW - 446 mW

下降时间 2.4 ns 7.4 ns 2.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625mW (Ta) 450 mW 625 mW

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.24 Ω

通道数 - 1 -

长度 1.7 mm - 1.7 mm

宽度 0.98 mm - 0.98 mm

高度 0.78 mm - 0.78 mm

封装 SOT-523-3 SOT-723-3 SOT-523

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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