BSS64和BSS64,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS64 BSS64,215

描述 BSS64 N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 AMP 增强模式/逻辑电平TO-236AB NPN 80V 0.1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-236 SOT-23-3

引脚数 - 3

封装 TO-236 SOT-23-3

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

频率 - 100 MHz

极性 - NPN

耗散功率 - 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @1mA, 1V

额定功率(Max) - 250 mW

耗散功率(Max) - 250 mW

工作温度 - 150℃ (TJ)

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