CY7C1525KV18-333BZXC和GS8662Q09GE-250I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1525KV18-333BZXC GS8662Q09GE-250I CY7C1526KV18-300BZXC

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 8M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 - 165

封装 FBGA-165 - FBGA-165

供电电流 790 mA - -

位数 9 - -

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 - FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown - Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - PB free

ECCN代码 3A991.b.2.a - -

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