对比图
型号 IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBF IRLR3636PBF
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装INFINEON IRLR3636TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V 新INFINEON IRLR3636PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 143 W 143 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 6.8 mΩ 0.0054 Ω 0.0068 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 143 W 143 W 143 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 99A 99A 99A
上升时间 216 ns 216 ns 216 ns
反向恢复时间 - - 27 ns
正向电压(Max) - - 1.3 V
输入电容(Ciss) 3779pF @50V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 3779pF @50V(Vds)
下降时间 69 ns 69 ns 96 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - - -55℃ ~ 175℃
耗散功率(Max) 143W (Tc) 143W (Tc) 143W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 60 V 60 V -
输入电容 - 3779 pF -
额定功率(Max) - 143 W -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.5 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.39 mm -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -