2N6341和JANTX2N6341

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6341 JANTX2N6341 2N6340

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTO-3 NPN 150V 25At-Npn Si-Pwr Amp Sw ; Rohs Compliant: Yes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

极性 - NPN -

耗散功率 200 W 200 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 150 V -

集电极最大允许电流 - 25A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @10A, 2V -

额定功率(Max) - 200 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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