70V3579S6BC和70V3579S6BC8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3579S6BC 70V3579S6BC8 70V3579S6BCI

描述 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAMDual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 256 256

封装 LBGA-256 LBGA-256 LBGA-256

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 6 ns 6 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

长度 17 mm 17 mm 17.0 mm

宽度 17 mm 17 mm 17.0 mm

封装 LBGA-256 LBGA-256 LBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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