对比图
型号 BSC150N03LDG SI7872DP-T1-GE3 SI7842DP-T1-E3
描述 30V,20A,N沟道功率MOSFETMOSFET N-CH D-S 30V 8-SOICTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8Pin PowerPAK SO T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 - SO-8 SO-8
引脚数 8 - 8
极性 N-Channel N-Channel Dual N-Channel
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 6.30 A
额定功率(Max) - 1.4 W 1.4 W
漏源极电阻 - - 30.0 mΩ
耗散功率 26.0 W - 1.40 W
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 - SO-8 SO-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -