对比图
型号 SI5433BDC-T1-E3 SI5441DC-T1-GE3 NTHS5443T1G
描述 MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装(公制) - 3216 -
封装 SMD-8 1206 SMD-8
引脚数 - - 8
耗散功率 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -3.60 A
漏源极电阻 - - 0.056 Ω
极性 - - P-Channel
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) - - -3.60 A, 4.90 A
上升时间 - - 14 ns
额定功率(Max) - - 1.3 W
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
长度 - 3.2 mm 3.1 mm
宽度 - 1.6 mm 1.7 mm
封装(公制) - 3216 -
封装 SMD-8 1206 SMD-8
高度 - - 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99