BC807W,115和BC807-16W,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC807W,115 BC807-16W,135 BC 807-16W H6327

描述 NXP  BC807W,115  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 100 hFESC-70 PNP 45V 0.5A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

引脚数 3 - 3

极性 PNP PNP -

耗散功率 200 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW

耗散功率(Max) - 200 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

频率 80 MHz - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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